Topcon太陽(yáng)電池迄今為止制造技術(shù)路線仍處于百家爭(zhēng)鳴階段，尚未有一種技術(shù)獲得所有企業(yè)的一致認(rèn)可。我們開(kāi)發(fā)了系列基于HoFCVD技術(shù)路線的生產(chǎn)技術(shù)路線，具有如下基本優(yōu)點(diǎn)：
　　?  熱絲CVD法對(duì)每個(gè)膜層的沉積，均無(wú)“繞鍍、繞擴(kuò)”的問(wèn)題；天然的邊緣隔離；
　　?  相比于PECVD鍍膜，熱絲CVD速度快、產(chǎn)能大、設(shè)備價(jià)格低、運(yùn)維成本低；
　　?  石英管免維護(hù)更換；
　　使用HoFCVD技術(shù)替代現(xiàn)有擴(kuò)硼和poly-Si的制備技術(shù)，基本方案如下所示所示：

　　熱絲CVD技術(shù)用于p型硼擴(kuò)層的基本思路：將摻入摻雜原子（硼）形成源層，與推結(jié)分成2步進(jìn)行。

技術(shù)路線優(yōu)勢(shì)：
　　?  無(wú)繞擴(kuò)，可方便實(shí)現(xiàn)擴(kuò)散層的圖案化結(jié)構(gòu)：利用熱絲CVD鍍膜無(wú)繞鍍的特性。
　　?  無(wú)需更換石英管：沒(méi)有硼硅玻璃，不會(huì)腐蝕石英管。
　　?  產(chǎn)品均勻性好、重復(fù)性好：熱絲CVD的鍍膜特征導(dǎo)致的。
　　?  擴(kuò)散方阻、摻雜濃度和結(jié)深靈活，可控性好：在熱絲CVD鍍膜時(shí)可精確控制硼、硅原子等的濃度。
　　?  擴(kuò)散層中濃度分布均勻性好：熱絲CVD的鍍膜均勻性好決定的。
　　?  擴(kuò)散層中無(wú)氧：鍍膜和擴(kuò)散過(guò)程中全過(guò)程無(wú)氧。
對(duì)于Topcon電池的量產(chǎn)裝備方案：
　　無(wú)氧擴(kuò)硼工藝和poly-Si工藝均由1臺(tái)熱絲CVD設(shè)備和1臺(tái)石英管式爐設(shè)備組合構(gòu)成；根據(jù)具體需要的不同，熱絲CVD的腔體數(shù)量和氣體種類進(jìn)行調(diào)整；石英管式爐的氣路和溫度范圍可以進(jìn)行調(diào)整。
　　?  設(shè)備由1臺(tái)熱絲CVD鍍膜設(shè)備和2臺(tái)濕氧氧化爐構(gòu)成；
　　?  熱絲CVD設(shè)備有1個(gè)Load/預(yù)熱腔；1個(gè)鍍膜腔；1個(gè)Unload腔構(gòu)成；
　　?  產(chǎn)能每小時(shí)約8000片；單次沉積2個(gè)載板，單個(gè)載板可以放置120片尺寸為156-182mm之間的硅片。
　　?  可根據(jù)客戶需要，沉積p型或n型或本征非晶硅/微晶硅/納米硅薄膜；膜厚和摻雜濃度可以任意調(diào)整。
　　?  可根據(jù)具體工藝的需要調(diào)整腔體數(shù)量和氣路種類等。
　　?  濕氧氧化爐可以兼容156-210mm尺寸硅片，溫度在100-1100℃之間連續(xù)可控；標(biāo)配氮?dú)夂退魵鈨陕窔怏w（可根據(jù)客戶需要增配氣體氣路）。

　　量產(chǎn)型HoFCVD裝備及上下料自動(dòng)化方案：8000片產(chǎn)能（圖片僅供參考）

對(duì)于研發(fā)型擴(kuò)硼和poly-Si工藝：
　　無(wú)氧擴(kuò)硼工藝和poly-Si工藝均由1臺(tái)熱絲CVD設(shè)備和1臺(tái)石英管式爐設(shè)備組合構(gòu)成；根據(jù)具體需要的不同：熱絲CVD的腔體數(shù)量和氣體種類進(jìn)行調(diào)整；石英管式爐的氣路和溫度范圍可以進(jìn)行調(diào)整。
　　?  設(shè)備由1臺(tái)熱絲CVD鍍膜設(shè)備和1臺(tái)濕氧氧化爐構(gòu)成；
　　?  熱絲CVD設(shè)備有1個(gè)載板上下料的掛架、1個(gè)Load/Unload腔體、1個(gè)鍍膜工藝腔構(gòu)成；
　　?  單個(gè)載板可以放置9片尺寸為156-182mm之間的硅片。
　　?  可根據(jù)客戶需要，沉積p型或n型或本征非晶硅/微晶硅/納米硅薄膜；膜厚和摻雜濃度可以任意調(diào)整。
　　?  可根據(jù)具體工藝的需要調(diào)整腔體數(shù)量和氣路種類等。
　　?  濕氧氧化爐可以兼容156-210mm尺寸硅片，溫度在100-1100℃之間連續(xù)可控；標(biāo)配氮?dú)夂退魵鈨陕窔怏w（可根據(jù)客戶需要增配氣體氣路）。

　　研發(fā)型型HoFCVD裝備方案（圖片僅供參考）

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