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基于熱絲 CVD 裝備的 Topcon 電池解決方案

基于熱絲 CVD 裝備的 Topcon 電池解決方案

  • 分類:產(chǎn)品中心
  • 作者:
  • 來(lái)源:
  • 發(fā)布時(shí)間:2022-07-19
  • 訪問(wèn)量:0

【概要描述】

基于熱絲 CVD 裝備的 Topcon 電池解決方案

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詳情

  Topcon太陽(yáng)電池迄今為止制造技術(shù)路線仍處于百家爭(zhēng)鳴階段,尚未有一種技術(shù)獲得所有企業(yè)的一致認(rèn)可。我們開(kāi)發(fā)了系列基于HoFCVD技術(shù)路線的生產(chǎn)技術(shù)路線,具有如下基本優(yōu)點(diǎn):
  ?  熱絲CVD法對(duì)每個(gè)膜層的沉積,均無(wú)“繞鍍、繞擴(kuò)”的問(wèn)題;天然的邊緣隔離;
  ?  相比于PECVD鍍膜,熱絲CVD速度快、產(chǎn)能大、設(shè)備價(jià)格低、運(yùn)維成本低;
  ?  石英管免維護(hù)更換;
  使用HoFCVD技術(shù)替代現(xiàn)有擴(kuò)硼和poly-Si的制備技術(shù),基本方案如下所示所示:

 


  熱絲CVD技術(shù)用于p型硼擴(kuò)層的基本思路:將摻入摻雜原子(硼)形成源層,與推結(jié)分成2步進(jìn)行。

 


技術(shù)路線優(yōu)勢(shì):
  ?  無(wú)繞擴(kuò),可方便實(shí)現(xiàn)擴(kuò)散層的圖案化結(jié)構(gòu):利用熱絲CVD鍍膜無(wú)繞鍍的特性。
  ?  無(wú)需更換石英管:沒(méi)有硼硅玻璃,不會(huì)腐蝕石英管。
  ?  產(chǎn)品均勻性好、重復(fù)性好:熱絲CVD的鍍膜特征導(dǎo)致的。
  ?  擴(kuò)散方阻、摻雜濃度和結(jié)深靈活,可控性好:在熱絲CVD鍍膜時(shí)可精確控制硼、硅原子等的濃度。
  ?  擴(kuò)散層中濃度分布均勻性好:熱絲CVD的鍍膜均勻性好決定的。
  ?  擴(kuò)散層中無(wú)氧:鍍膜和擴(kuò)散過(guò)程中全過(guò)程無(wú)氧。
對(duì)于Topcon電池的量產(chǎn)裝備方案:
  無(wú)氧擴(kuò)硼工藝和poly-Si工藝均由1臺(tái)熱絲CVD設(shè)備和1臺(tái)石英管式爐設(shè)備組合構(gòu)成;根據(jù)具體需要的不同,熱絲CVD的腔體數(shù)量和氣體種類進(jìn)行調(diào)整;石英管式爐的氣路和溫度范圍可以進(jìn)行調(diào)整。
  ?  設(shè)備由1臺(tái)熱絲CVD鍍膜設(shè)備和2臺(tái)濕氧氧化爐構(gòu)成;
  ?  熱絲CVD設(shè)備有1個(gè)Load/預(yù)熱腔;1個(gè)鍍膜腔;1個(gè)Unload腔構(gòu)成;
  ?  產(chǎn)能每小時(shí)約8000片;單次沉積2個(gè)載板,單個(gè)載板可以放置120片尺寸為156-182mm之間的硅片。
  ?  可根據(jù)客戶需要,沉積p型或n型或本征非晶硅/微晶硅/納米硅薄膜;膜厚和摻雜濃度可以任意調(diào)整。
  ?  可根據(jù)具體工藝的需要調(diào)整腔體數(shù)量和氣路種類等。
  ?  濕氧氧化爐可以兼容156-210mm尺寸硅片,溫度在100-1100℃之間連續(xù)可控;標(biāo)配氮?dú)夂退魵鈨陕窔怏w(可根據(jù)客戶需要增配氣體氣路)。

 


  量產(chǎn)型HoFCVD裝備及上下料自動(dòng)化方案:8000片產(chǎn)能(圖片僅供參考)


對(duì)于研發(fā)型擴(kuò)硼和poly-Si工藝:
  無(wú)氧擴(kuò)硼工藝和poly-Si工藝均由1臺(tái)熱絲CVD設(shè)備和1臺(tái)石英管式爐設(shè)備組合構(gòu)成;根據(jù)具體需要的不同:熱絲CVD的腔體數(shù)量和氣體種類進(jìn)行調(diào)整;石英管式爐的氣路和溫度范圍可以進(jìn)行調(diào)整。
  ?  設(shè)備由1臺(tái)熱絲CVD鍍膜設(shè)備和1臺(tái)濕氧氧化爐構(gòu)成;
  ?  熱絲CVD設(shè)備有1個(gè)載板上下料的掛架、1個(gè)Load/Unload腔體、1個(gè)鍍膜工藝腔構(gòu)成;
  ?  單個(gè)載板可以放置9片尺寸為156-182mm之間的硅片。
  ?  可根據(jù)客戶需要,沉積p型或n型或本征非晶硅/微晶硅/納米硅薄膜;膜厚和摻雜濃度可以任意調(diào)整。
  ?  可根據(jù)具體工藝的需要調(diào)整腔體數(shù)量和氣路種類等。
  ?  濕氧氧化爐可以兼容156-210mm尺寸硅片,溫度在100-1100℃之間連續(xù)可控;標(biāo)配氮?dú)夂退魵鈨陕窔怏w(可根據(jù)客戶需要增配氣體氣路)。

 

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  研發(fā)型型HoFCVD裝備方案(圖片僅供參考)


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  黃先生
  電話:13576906107;郵箱:hbhuang@hactech.cn。
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